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>影響：主要影響內存帶寬和穩定性。
建議設置：通常不能達到9，而10為最佳設置。17-19是內存超頻建議值。可以從17開始逐步往下調節。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘週期。
Rowto Row Delay（也稱為RAS to RAS delay）（tRRD）
Settings = Auto， 0-4，步進1
此參數表示連續的激活指令到內存行地址的最小間隔時間，也就是預充電時間。延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。對于桌面電腦，建議使用2個時鐘週期的延遲，此時的數據膨脹可以忽視。tRRD設為2可以提高DDR內存的讀寫性能，當2才穩定時才應該設為3。
影響：輕微影響內存帶寬和穩定性
建議設置：00是最佳性能參數，4超頻內存時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩定運行在00-260MHz。
WriteRecovery Time（tWR）
Settings = Auto， 2， 3。
tWR表示，在一個內存bank被充電之前，一個有效的寫操作完成後延遲的時間。這個延遲保證了在充電之前寫緩衝裡的數據就能被寫入內存單元。延遲越短，說明花更少的時間就能對下一次讀寫操作充電，但同時也有覆蓋數據的可能。我的建議是，使用DDR266和DDR200時可以設為2，但DDR333和DDR400可能不一定穩定，這樣就必須設為3。總之在穩定的前提下盡量降低延遲。
影響：輕微影響內存帶寬和穩定性
建議設置：2為最佳性能，超頻用戶可以考慮3。
Writeto Read Delay（tWTR）
Settings = Auto， 1， 2
這個參數控制寫數據到讀指令的延遲，它表示在同一bank中，最近的一次有效寫操作到下一次讀指令間隔的時鐘週期。1個時鐘週期自然可以提供從讀到寫更快速的切換。設為2會影響讀數據的速度，但提高穩定性，尤其是高頻時。換句話說，對內存超頻的玩家，我們建議設為2。通常DDR266和DDR333都能穩定運行在1，這樣內存的讀速度會更快。當然DDR400的用戶也能嘗試著設為1，但如果不穩定就必須降到2了。
tWTR表示讀到寫的延遲。三星把這個參數稱之為TCDLR（last data in to read command），JDED規格中把它定為一個時鐘週期。
影響：輕微影響內存帶寬和穩定性
建議設置：1是最佳性能，超頻內存時建議設為2。
Readto Write Delay（tRWT）
Settings = Auto， 1-8 ，步進1
tRWT不是一個標準的內存時序參數，當內存控制器接收到一個讀指令後立即又收到一個寫指令，在寫指令執行之前，會產生一個額外的延遲。較低的延遲可以提高內存子系統的寫速度。如果想快速的完成讀到寫的轉換，建議設為1個時鐘週期。但顯然並非所有的內存都能達到這個要求，不穩定時也會出現數據覆蓋的錯誤。
影響：輕微影響內存帶寬和穩定性
建議設置：1是最好性能，超頻用戶建議為4。普通用戶在穩定的基礎上選用1。
RefreshPeriod（tREF）
Settings = Auto， 0032-4708 ，步進非固定值。us為微秒
1552= 100mhz（?.?us）
2064= 133mhz（?.?us）
2592= 166mhz（?.?us）
3120= 200mhz（?.?us）（BH-5/6的建議值，頻率可達到250+MHz）
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3632= 100mhz（?.?us）
4128= 133mhz（?.?us）
4672= 166mhz（?.?us）
0064= 200mhz（?.?us）
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0776= 100mhz（?.?us）
1032= 133mhz（?.?us）
1296= 166mhz（?.?us）
1560= 200mhz（?.?us）
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1816= 100mhz（?.?us）
2064= 133mhz（?.?us）
2336= 166mhz（?.?us）
0032= 200mhz（?.?us）
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0388= 100mhz（15.6us）
0516= 133mhz（15.6us）
0648= 166mhz（15.6us）
0780= 200mhz（15.6us）
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0908= 100mhz（7.8us）
1032= 133mhz（7.8us）
1168= 166mhz（7.8us）
0016= 200mhz（7.8us）
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1536= 100mhz（3.9us）
2048= 133mhz（39us）
2560= 166mhz（3.9us）
3072= 200mhz（3.9us）
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3684= 100mhz（1.95us）
4196= 133mhz（1.95us）
4708= 166mhz（1.95us）
0128= 200mhz（1.95us）
這個參數是用來設定刷新的間隔時間，除了Auto選項，還有非常多的選項可以選擇。Auto表示根據內存的SPD信息來設定，通常是一個很慢的值，為了保證最好的兼容性。數值越高表示性能越好，最高可以達到128us，但太高的值可能導致內存數據丟失，因此我們可以一點一點的增加來得到最理想的數值，前提也是系統足夠穩定。
另外根據早期的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是bit。每個bit都能隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必 上一頁 [1] [2] [3] [4] 下一頁
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