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1、CASLatency Control（tCL）
Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5
這是最重要的內存參數之一，通常玩家說明內存參數時把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl為3。通常2可以達到更好的性能，但3能提供更佳的穩定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。
CAS表示列地址尋址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。內存是根據行和列尋址的，當請求觸發後，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電後，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活後，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然後初始化tRCD，週期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後一個步驟，也是內存參數中最重要的。
這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2。5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。
影響：主要影響穩定性，輕微影響帶寬
建議設置：1.5，2，2.5，和3
2、RAS#to CAS# Delay（tRCD）
Settings = Auto， 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7。
這個是說明內存參數時排到第二位的數值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD為4。
該參數可以控制內存行地址選通脈衝（RAS，Row Address Strobe）信號與列地址選通脈衝信號之間的延遲。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈衝信號之間插入延遲時鐘週期。在JEDEC規範中，它是排在第二的參數，出于最佳性能考慮可將該參數設為2，如果系統無法穩定運行則可將該參數設為3。同樣的，調高此參數可以允許內存運行在更高的頻率上，用戶超頻內存遇到困難時可以嘗試提高tRCD。
影響：主要影響帶寬和穩定性
建議設置： 2-5。2能達到最高性能，為達到內存最高頻率可設為4或5。
4、MinRAS# Active Timing（tRAS）
Settings = Auto， 00， 01， 02， 03， 04， 05， 06， 07， 08， 09， 10，11， 12， 13， 14， 15。
這個是說明內存參數時排到第四位的數值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS為8。
這個選項控制內存最小的行地址激活時鐘週期數（tRAS），它表示一個行地址從激活到復位的時間。tRAS過長，會嚴重影響性能。減少tRAS可以使得被激活的行地址更快的復位，然而，tRAS太短也會造成不夠時間完成一次突發傳送，數據會丟失或者覆蓋。最佳設置是越低越好。通常，tRAS應該設為tCL+tRCD+2個時鐘週期。例如如果tCL和tRCD分別為2和3個時鐘週期，則最佳的tRAS值為7。但如果產生內存錯誤或系統不穩定，就必須提高tRAS值了。
事實上tRAS是極具爭議的一個數值。很多人認為00，05或者10是最快最穩定的。但這也未必對每個用戶都適用，它根據內存有所不同。通常設為10後內存能達到最好的超頻能力。
影響：輕微影響帶寬和穩定性
建議設置：00，5-10。
3、RowPrecharge Timing（tRP）
Settings = Auto， 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7
這個是說明內存參數時排到第三位的數值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP為4。
tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，內存控制器不能順利地完成讀寫操作。因此，在穩定的前提下建議tRP設為2，萬一不夠穩定就必須增加到3或4。
影響：主要影響帶寬和穩定性
簡直設置：2-4。2為最佳性能，4-5能達到內存的極限頻率。
RowCycle Time（tRC）
Settings = Auto， 7-22，步進為1。
這個參數用來控制內存的行週期時間。tRC決定了完成一個完整的循環所需的最小週期數，也就是從行激活到行充電的時間。根據方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在設定tRC之前，必須參考一下tRAS和rRP的數值。如果行週期時間過長，會延遲完成一個週期後激活新的行地址的時間。然而，太短會導致被激活的行還未充分充電就開始下一個初始化，這樣會造成數據丟失或覆蓋。一般情況下根據tRC= tRAS + tRP 把tRC設為一個較低的值，例如tRAS為7個時鐘週期，tRP為4個時鐘週期，則理想的tRC值為11。
影響：主要影響穩定性和內存帶寬
建議設置：7為最佳性能，15-17為超頻建議參數，可以從16開始逐步調低直到穩定。記住公式tRC = tRAS +tRP 。
RowRefresh Cycle Time（tRFC）
Settings = Auto， 9-24 ，步進為1。
這個設定代表在同一bank中刷新一個單獨的行所需的時間。同時還是同一bank中兩次刷新指令的間隔時間。tRFC應該比tRC高。[1] [2] [3] [4] 下一頁
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