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動態RAM
1．FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM)
FPM DRAM為快速頁模式DRAM，是應用得較早的一種DRAM(前面介紹的2164A就屬于這一種)。最基本的DRAM每一次讀／寫都是先選擇行地址(RAS先有效)，再選擇列地址(CAS後有效)。事實上，在大多數情況下，下一個所需的數據是在當前所讀數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列。FPM DRAM的設計者將位于DRAM存儲矩陣中同一行的所有基本存儲單元稱為一頁。FPM DRAM通過保持同一個行地址而改變列地址實現對同一頁的連續訪問，減少了建立行地址的延時，從而提高連續數據訪問的速度。
2．EDORAM(Extended Data Output RAM)
EDORAM為擴充數據輸出RAM，是在快速頁模式FPM DRAM技術的基礎上發展起來的新技術。它在RAM的輸出端增加了一級數據鎖存，構成二級數據輸出緩衝單元。由此，在輸出上一個數據到CPU的同時，可開始讀取下一個數據，這樣省去用來發出下一個列地址的等待時間(發出下一個列地址不需要等待上一個數據被CPU讀取)，從而比FPM DRAM提供更快的數據流。
3．SDRAM(Synehronous DRAM)
SDRAM為同步DRAM。它採用了同步技術，即工作頻率與CPU的外頻或系統總線頻率同步，不存在延時或等待。實際上它也採用了突發技術和管道技術，只是名稱中沒有體現出來。SDRAM內部採用了一種雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU對一個存儲體或陣列訪問數據的同時，另一個已準備好讀／寫數據。通過2個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍的提高。SDRAM的存取速度比前面兩種DRAM要快得多(可達133 MHz，是通常的FPM DRAM的4倍，大約是ED0 DRAM的2倍)。
4．RDRAM(Rambus。DRAM)
RDRAM是Rambus公司推出的一種性能更高的DRAM。其存儲總線的速率可高達600MHz。它的特點是把行緩衝器作為高速暫存來利用。在普通的DRAM中，行緩衝器的信息在寫回存儲器後便不再保留，而RDRAM則將這一信息繼續保持住，在進行存儲器訪問時，如果緩衝器已有目標數據，則可利用它，因而實現了高速訪問。它還採用了所謂的“隨機通道”技術。
5．DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
這是Intel所推崇的未來內存的發展方向，它引人類RISC(Reduced Instruction Set
Computing，精簡指令集計算)的理念：通過減少每個時鐘週期可通過的數據來減少復雜性，再通過提高工作頻率來保證芯片具有更高的數據傳輸率。它與傳統DRAM的區別在于引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線，也可以被定義成控制線。其弓I腳數僅為普通DRAM的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。它支持400 MHz外頻的16位總線。利用時鐘的上升沿和下降沿兩次傳輸數據，因此數據傳輸頻率可以達到800 MHz，理論上最大數據傳輸率可以達到1．6 GB／s。
6．DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
即雙倍數據速率SDRAM，簡稱DDR，是在SDRAM基礎上發展起來的，有人稱之為第二代的SDRAM。名稱中的雙倍數據速率仍然是指在時鐘脈衝的上升沿和下降沿都傳輸數據。
DDR採用了延時鎖定環(Delay-Locked Loop)技術提供數據選通信號來對數據進行精確定位，並使用64位寬的數據通道。它內部有4個存儲體，以減少隨機存取訪問的建立時間。它的突發模式可以編程為2、4或8個突發長度。為降低功耗，DDR採用2．5 V工作電壓，而不是傳統的3．3 V。I)DR支持266 MHz的工作頻率，理論上最大數據輸出率可以達到2．1 GB／s。
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